資訊中心

聯係我們

深圳市維(wéi)立信電子科技有限(xiàn)公司
地址:深(shēn)圳市福(fú)田區紅荔路第(dì)一世界廣場A座(zuò)8D-E
谘詢電(diàn)話:0755-83766766
E-mail:info@jccn.com.cn

雙向直流電源突發模(mó)式(shì)下的功(gōng)率管損耗如何計算?

2025-10-22 10:16:22  點擊:

在雙(shuāng)向(xiàng)直流電源(yuán)突發模式下,功率管(guǎn)損耗主要包括導通損耗、開(kāi)關(guān)損耗(開通損耗和關斷損耗)、死區時間損耗、驅(qū)動損(sǔn)耗等(děng),以下是具體計算方法及分析:

導通損耗

導通損耗是指功率管在(zài)導通狀態下,由於導通電阻而產(chǎn)生的功率損耗。在雙向直流電源中,功率管(如IGBT或MOSFET)在導通時,其漏源電流(IDS(on))會在導通電阻(RDS(on))上產(chǎn)生壓降,從而產生導通損耗。導通損耗的計算公式為:

  • 公式Pon=IDS(on)rms2×RDS(on)×K×Don

  • 參數(shù)說明

    • IDS(on)rms:導通期間漏源電流的有效值(zhí)。
    • RDS(on):導通電阻,會隨漏源電流值和器件結點溫度不(bú)同而變化,需根據規格書查找盡(jìn)量靠近預計工(gōng)作條件下的值,並乘以規格書提供的溫度(dù)係數K。
    • Don:導通占空比。
  • 計算要點

    • 計算IDS(on)rms時,使用的時期僅(jǐn)是導通時間Ton,而不是整個(gè)工作周期Ts
    • 在(zài)突發(fā)模式下,由於電流和電壓的波動(dòng)可能較大,需要更精確地測量或預計IDS(on)rmsRDS(on)的值。

開(kāi)關損耗

開關損耗包括開通損耗(hào)和關斷損耗,是由於功率管(guǎn)在開關過程中,電壓和(hé)電流的交疊而產生的損耗。

  • 開通(tōng)損耗

    • 產生原因:非理想的開關(guān)管在開通時,電壓不是立即下降到零,而是(shì)有一個下降時間;同時電流也不是立(lì)即上(shàng)升到(dào)負載電流,而是有一個(gè)上升時間。在這段時間內,開關管的電流和電壓有一個交疊區,會產生損耗(hào)。
    • 計算公式(shì)(以A類假設為例):Poff_on=61×VDS(off_end)×Ip1×tr×fs
    • 參數說明
      • VDS(off_end):開啟時刻前的漏源電壓。
      • Ip1:開啟(qǐ)完成後的負載電流初始值。
      • tr:上升時(shí)間。
      • fs:開關頻率。
  • 關斷損耗

    • 產生原因:功率管在(zài)關斷過程中,電壓不是立即上升到負載電壓,而是有一個上升時間;同時電流也不是立即下降到零,而(ér)是(shì)有一個下降時間。在這段時間(jiān)內,開關管的電流和電壓也有一個交(jiāo)疊區(qū),會產生損(sǔn)耗。
    • 計算公式(以A類假設為例):Poff_on=61×VDS(off_beginning)×Ip2×tf×fs
    • 參數說明
      • VDS(off_beginning):關斷完成後之漏源電壓。
      • Ip2:關斷時刻前(qián)的負載電流(liú)末(mò)端值。
      • tf:下降時(shí)間(jiān)。
      • fs:開關頻率。
  • 計算要點

    • 在突發模式下,由於開(kāi)關頻率和占空比可能動態變化,需(xū)要實時測量或預計開關(guān)過程(chéng)中的電壓和電流波(bō)形。
    • 實際計算中,針對不同的假設(如(rú)A類假設和B類假設)會延伸出不同的計算公式(shì),B類(lèi)假設可作為最(zuì)惡劣(liè)模式的計算值。

死區時間損耗

死區時間損耗是指在死區時間內(nèi),由於低(dī)邊開關(MOSFET)體二極管的(de)正向電壓和負載電流而產生的損耗。在同步整(zhěng)流(liú)式DC/DC轉換器中,為了避免直通電流(liú),會設置一(yī)段(duàn)死區時間,在這段時(shí)間內兩邊(biān)的開關都是OFF的。然而,實際的開關(guān)是MOSFET,其中存在被稱為“體二(èr)極(jí)管”的寄生(shēng)二(èr)極管。在死區時間內(nèi),低(dī)邊(biān)MOSFET的體二極管相對於負載電流是正向的,電流通過這個體二極管流向負載,從而產生損耗。

  • 計算公式Pdead_time=VF×IL×tdead(具體公式可能因電路架構和(hé)器(qì)件參數而異)

  • 參數說明

    • VF:體二極(jí)管(guǎn)的正向電壓。
    • IL:負載電流。
    • tdead:死區時間。
  • 計算要點

    • 在突發(fā)模式(shì)下,死區時間可能(néng)因控製策略的(de)調整而變化,需要實時測量或預計死區時間(jiān)和負載電流的(de)值(zhí)。

驅動損耗(hào)

驅動損(sǔn)耗是指柵極接受驅動電源進行驅動時產生的損耗。在雙向直流電源中,功率管的柵(shān)極需要接受驅動電源提供(gòng)的電壓和電流來控製其開關狀態。驅(qū)動損耗的計算公式為:

  • 公式(shì)Pgs=Vgs×Qg×fs

  • 參數說明

    • Vgs:驅(qū)動電源電壓。
    • Qg:總驅(qū)動電(diàn)量,可通過器件規格書(shū)查找得到。
    • fs:開關頻率。
  • 計算要點

    • 在突(tū)發模式下,由於開關頻率可能動態變化,需要實時測量或預計驅動電源電壓和開關頻率的值(zhí)。


硬汉视频在线观看免费-硬汉视频最新版下载-硬汉视频app下载-硬汉视频官网在线观看下载